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預(yù)算超2.8億!中國科學(xué)院微電子研究所近期采購意向

所屬地區(qū):安徽 發(fā)布日期:2025-02-27
所屬地區(qū):安徽 招標(biāo)業(yè)主:登錄查看 信息類型:招標(biāo)預(yù)告
更新時(shí)間:2025/02/27 招標(biāo)代理:登錄查看 截止時(shí)間:登錄查看
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導(dǎo)讀
近期,中國科學(xué)院微電子研究所連續(xù)發(fā)布多項(xiàng)儀器設(shè)備采購意向,預(yù)算金額達(dá)28366萬元。
近期,中國科學(xué)院微電子研究所連續(xù)發(fā)布多項(xiàng)儀器設(shè)備采購意向,預(yù)算金額達(dá)28366萬元。涉及儀器設(shè)備包括全自動(dòng)光學(xué)顯微鏡、刻蝕設(shè)備、X射線光電子能譜儀、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備、干法去膠機(jī)等。預(yù)計(jì)采購時(shí)間2025年3至6月。
采購意向只是政府采購的初步安排,具體采購情況以中國農(nóng)業(yè)大學(xué)發(fā)布的采購公告和采購文件為準(zhǔn),有意向的企業(yè)可持續(xù)關(guān)注該校發(fā)布的招標(biāo)信息。
中國科學(xué)院微電子研究所采購預(yù)算匯總
采購項(xiàng)目名稱:(略)
采購需求概況
預(yù)算金額(萬元)
預(yù)計(jì)采購日期
硅片
制備半導(dǎo)體器件,數(shù)量700片
150
2025年2月
4G-LTECat.1通信SOC芯片晶圓
4G-LTECat.1通信的SOC芯片及其配套的PMIC芯片,晶圓數(shù)量各1張
160
2025年3月
(略)與元器件
(略)與元器件
140
2025年3月
全自動(dòng)光學(xué)顯微鏡
全自動(dòng)光學(xué)顯微鏡1臺(tái)
150
2025年4月
(略)
(略)1臺(tái)
1500
2025年4月
激光發(fā)生裝置
激光發(fā)生裝置
130
2025年4月
12英寸槽式小尺寸高精度橫向濕法刻蝕設(shè)備
12英寸槽式小尺寸高精度橫向濕法刻蝕設(shè)備1臺(tái)
3800
2025年4月
(略)
(略)1臺(tái)
114
2025年4月
(略)
(略)1臺(tái)
115
2025年4月
三維集成封裝動(dòng)態(tài)數(shù)字全息顯微分析儀
三維集成封裝動(dòng)態(tài)數(shù)字全息顯微分析儀1臺(tái)
252
2025年5月
低溫變頻C-V測試設(shè)備
低溫變頻C-V測試設(shè)備
350
2025年5月
透射電子顯微鏡(TEM)、聚焦離子束顯微鏡(FIB)以及二次離子質(zhì)譜(SIMS)等半導(dǎo)體測試分析
透射電子顯微鏡(TEM)、聚焦離子束顯微鏡(FIB)以及二次離子質(zhì)譜(SIMS)等半導(dǎo)體測試分析
1000
2025年5月
離子刻蝕機(jī)
離子刻蝕機(jī)1臺(tái)
810
2025年5月
光譜檢測儀
日本橫河AQ6380光譜檢測儀1臺(tái)
100
2025年6月
低頻阻抗分析儀
低頻阻抗分析儀1臺(tái)
100
2025年6月
X射線光電子能譜儀
X射線光電子能譜儀
900
2025年6月
激光隱形切割成套設(shè)備
激光隱形切割成套設(shè)備
1000
2025年6月
12吋晶圓等離子劃片機(jī)
12吋晶圓等離子劃片機(jī)
1880
2025年6月
12吋晶圓級(jí)激光去膠開槽設(shè)備
12吋晶圓級(jí)激光去膠開槽設(shè)備
800
2025年6月
12吋晶圓級(jí)無機(jī)紅外拆鍵合設(shè)備
12吋晶圓級(jí)無機(jī)紅外拆鍵合設(shè)備
5300
2025年6月
翹曲測量儀
翹曲測量儀
620
2025年6月
12吋物理氣相沉積設(shè)備
12吋物理氣相沉積設(shè)備
2300
2025年6月
PVTC-A1比容量儀
PVTC-A1比容量儀
245
2025年6月
流片
流片50顆
100
2025年6月
(略)發(fā)生器
(略)發(fā)生器1臺(tái)
180
2025年6月
high-K介質(zhì)電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備
high-K介質(zhì)電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備1臺(tái)
900
2025年6月
干法去膠機(jī)
干法去膠機(jī)1臺(tái)
200
2025年6月
高深寬比橫向濕法刻蝕設(shè)備
高深寬比橫向濕法刻蝕設(shè)備1臺(tái)
1210
2025年6月
金屬及金屬氧化物原子層沉積設(shè)備
金屬及金屬氧化物原子層沉積設(shè)備1臺(tái)
1800
2025年6月
金屬及金屬氧化物電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備
金屬及金屬氧化物電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備1臺(tái)
860
2025年6月
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備1臺(tái)
1200
2025年6月
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